特許
J-GLOBAL ID：200903035999672900
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-257029
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091355
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 角錐コレットに押圧部を設け、ダイボンドと同時に下のボンディングワイヤのループ形状を加工することにより、ワイヤと半導体チップとの接触を防止する。【解決手段】 アイランド13上に第1の半導体チップ10を固着し、第1の電極パッド12aとリード端子17とを第1のボンディングワイヤ16aで接続する。第2の半導体チップ11を角錐コレット20によって吸着し、半導体チップ10の上にダイボンドする。この時、角錐コレット20の押圧部21が第1のボンディングワイヤ21のループを押し下げるようにすることで、第1のボンディングワイヤ16aが確実に凹部19内に収まって第2の半導体チップ11との接触を回避する。
請求項（抜粋）：
あらかじめダイボンドとワイヤボンドを施した第1の半導体チップの上に第2の半導体チップをダイボンドする半導体装置の製造方法であって、前記第2の半導体チップを吸着し搬送するコレットに押圧部を設け、前記第2の半導体チップを前記第1の半導体チップの上に固定すると同時に前記コレットの押圧部が前記第1の半導体チップのボンディングワイヤのループを押し下げるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (9件)：
5F047AA11
, 5F047AA17
, 5F047BA23
, 5F047BA34
, 5F047BB11
, 5F047CB03
, 5F047FA08
, 5F047FA22
, 5F047FA61
