特許

J-GLOBAL ID：200903036002331187

半導体レーザ装置の製造方法

発明者： 伴 雄三郎 ,  木戸口 勲 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044412
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243672
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 発振波長が安定で、経時変化しない信頼性の高いAlGaInP/GaAs系可視光半導体レーザ装置を提供することを目的としている。また、本発明はCODレベルが高く、高出力型のAlGaInP/GaAs系可視光半導体レーザ装置を提供する。【構成】 AlGaInP/GaAs系可視光半導体レーザ装置の作製工程において、ダブルヘテロ構造のエピタキシャル成長後、ウエファー全領域特に活性層を電子線照射して自然超格子構造を破壊する。その結果、同じ活性層組成で発振波長が最短波長となり、かつ経時変化がなくなる。また、本発明は、AlGaInP/GaAs系可視光半導体レーザ装置の作製工程において、共振器端面を電子線照射し、共振器端面近傍の活性層の自然超格子を破壊し、バンドギャップエネルギーを大きくする。この結果、非吸収ミラー構造のレーザ構造が容易にでき、高出力化が実現できる。

請求項（抜粋）：

n型GaAs基板上に順次n型AlGaInPクラッド層、AlGaInPあるいはGaInP活性層、p型AlGaInPクラッド層、p型GaInPエッチング層、p型AlGaInPクラッド層、p型GaInP中間層、p型GaAsキャップ層を成長してダブルヘテロ構造を形成し、次に前記p型GaAsキャップ層、p型GaInP中間層、p型AlGaInPクラッド層をエッチングによってメサストライプ状にし、次にn型GaAs電流ブロッキング層およびp型GaAs電極コンタクト層を成長する工程において、前記ダブルヘテロ構造の形成後前記p型GaAsキャップ層側から、全領域電子線を照射することを特徴とするAlGaInP/GaAs系可視光半導体レーザの製造方法。