特許

J-GLOBAL ID：200903036006826393

ビアフィリングめっき方法

発明者： 中村 健次 ,  中澤 昌夫
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-334044
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291954
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 アスペクト比の大きな小径のビアホール内も良好に銅めっきで埋めることができるビアフィリングめっき方法を提供する【解決手段】 基板20の絶縁層12表面およびビアホール14の底面を含む壁面に銅皮膜21を形成する銅皮膜形成工程と、めっき促進剤が添加された水溶液中に、銅皮膜21が形成された基板20を浸漬して、銅皮膜21表面にめっき促進剤22を付着させる浸漬工程と、ビアホール14の底面を含む内壁面を除く銅皮膜21表面に付着しためっき促進剤22を除去する剥離工程と、剥離工程の後、絶縁層12表面に形成された銅皮膜21およびビアホール14の底面を含む壁面に形成された銅皮膜21上に電解銅めっきを施してビアホール14内にめっき金属を充填する電解銅めっき工程とを含むことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

導体層が底面に露出するように基板の絶縁層に形成されたビアホール内に、銅めっきを施してビアホール内をめっき金属により充填するビアフィリングめっき方法において、前記基板の絶縁層表面およびビアホールの底面を含む壁面に銅皮膜を形成する銅皮膜形成工程と、めっき促進剤が添加された水溶液中に、前記銅皮膜が形成された基板を浸漬して、前記銅皮膜表面にめっき促進剤を付着させる浸漬工程と、ビアホールの底面を含む内壁面を除く前記銅皮膜表面に付着しためっき促進剤を除去する剥離工程と、前記剥離工程の後、絶縁層表面に形成された銅皮膜およびビアホールの底面を含む壁面に形成された銅皮膜上に電解銅めっきを施して前記ビアホール内にめっき金属を充填する電解銅めっき工程とを含むことを特徴とするビアフィリングめっき方法。

IPC (4件)：

H05K 3/42 610 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/40 ,  H05K 3/46

FI (5件)：

H05K 3/42 610 B ,  H05K 3/18 H ,  H05K 3/18 B ,  H05K 3/40 K ,  H05K 3/46 N

Fターム (42件)：

5E317AA24 ,  5E317BB12 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CD11 ,  5E317GG01 ,  5E317GG14 ,  5E343AA02 ,  5E343AA11 ,  5E343AA12 ,  5E343BB24 ,  5E343BB71 ,  5E343CC32 ,  5E343CC52 ,  5E343CC54 ,  5E343CC80 ,  5E343DD33 ,  5E343DD34 ,  5E343DD43 ,  5E343DD44 ,  5E343EE14 ,  5E343FF16 ,  5E343GG06 ,  5E343GG11 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA35 ,  5E346AA43 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346CC57 ,  5E346CC60 ,  5E346DD22 ,  5E346EE31 ,  5E346EE33 ,  5E346FF07 ,  5E346FF13 ,  5E346FF14 ,  5E346GG17 ,  5E346HH11 ,  5E346HH31