特許

J-GLOBAL ID：200903036011864244

半導体装置の検査方法

発明者： 田井中 靖
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-005696
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196436
出願日： 2000年01月06日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 小さなアンテナ比にて確実に前述した測定を行なう技術を提供する。【解決手段】 アンテナを設けた評価パターンのコンタクトパッドを測定端子として測定を行なう半導体装置の検査方法において、前記アンテナに近接させて、前記アンテナとは分離した電極を形成し、この電極と前記アンテナとを前記コンタクトパッドとして測定を行なう。上述した手段によれば、プロセス中では小さなアンテナに相当するチャージアップダメージがゲート絶縁膜に加わるが、測定時にはプローブ接触時にアンテナを構成する配線が変形し、分離されていた周囲の電極と接触導通するために、充分なコンタクトパッド領域が確保され、確実に測定を行なうことが可能となる。

請求項（抜粋）：

アンテナを設けた評価パターンのコンタクトパッドを測定端子として測定を行なう半導体装置の検査方法において、前記アンテナに近接させて、前記アンテナとは分離した電極を形成し、この電極と前記アンテナとを前記コンタクトパッドとして測定を行なうことを特徴とする半導体装置の検査方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 V ,  H01L 21/88 T ,  H01L 27/08 321 Z ,  H01L 29/78 301 T

Fターム (15件)：

4M106AA02 ,  4M106AA07 ,  4M106AD01 ,  4M106AD30 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA04 ,  4M106DD12 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033MM01 ,  5F033VV12 ,  5F033XX37 ,  5F040DA30 ,  5F048AB10