特許
J-GLOBAL ID：200903036013389373
テスト用コンタクトピンの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-322736
公開番号（公開出願番号）：特開平9-159696
出願日： 1995年12月12日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 ICチップや液晶等のテストに適したテスト用コンタクトピンを高アスペクト比で矩形の断面形状で、しかも高い生産性で製造する。 【解決手段】 ベースメタル層11を支持用金属板10上に形成し、層11上にフォトレジスト層12を形成し、層12に所定のパターンのマスク13を施して露光し、この層12を現像することによりテスト用コンタクトピンとなる部分を除去して層12に開口部12aを形成する。開口部12aの底部に層11の金属と同一の金属からなる金属被膜16を形成し、被膜16を形成した開口部12aに金属層14を形成し、層12を除去する。ピンのコンタクト部となる部分を除いた金属層14上にフィルム15を被着し、金属板10から層11を被膜16と金属層14とフィルム15とともに剥離した後、層11及び被膜16を除去してフィルム15に支持された金属層14からなるテスト用コンタクトピンを得る。
請求項（抜粋）：
テスト用コンタクトピンとなる金属層(14)と結合可能なベースメタル層(11)をこのベースメタル層(11)に対して剥離性のある平坦かつ平滑な支持用金属板(10)上にめっきにより形成する工程と、前記ベースメタル層(11)上にフォトレジスト層(12)を形成する工程と、前記フォトレジスト層(12)に所定のパターンのマスク(13)を施して露光する工程と、前記露光したフォトレジスト層(12)を現像することによりテスト用コンタクトピンとなる部分を除去して前記残存するフォトレジスト層(12)に開口部(12a)を形成する工程と、前記開口部(12a)の底部に前記ベースメタル層(11)の金属と同一の金属からなる金属被膜(16)をめっきにより形成する工程と、前記金属被膜(16)を形成した開口部(12a)に前記テスト用コンタクトピンとなる金属層(14)をめっきにより形成する工程と、前記残存するフォトレジスト層(12)を除去する工程と、前記テスト用コンタクトピンのコンタク部となる部分を除いた前記金属層(14)上にフィルム(15)を接着剤(15a)を介して被着する工程と、前記支持用金属板(10)から前記ベースメタル層(11)を前記金属被膜(16)と前記金属層(14)と前記フィルム(15)とともに剥離する工程と、前記ベースメタル層(11)及び前記金属被膜(16)を除去して前記フィルム(15)に支持された金属層(14)からなるテスト用コンタクトピンを得る工程とを含むテスト用コンタクトピンの製造方法。
IPC (3件)：
G01R 1/073
, G01R 1/06
, H01L 21/66
G01R 1/073 E
, G01R 1/073 F
, G01R 1/06 F
, H01L 21/66 B
