特許

J-GLOBAL ID：200903036019256758

半導体圧力センサおよびその製造方法

発明者： 一法師 隆志 ,  西村 正
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-240625
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089939
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体圧力センサにおいて、感圧抵抗体および配線層と、半導体基板との間の絶縁耐圧を向上させることを目的とする。【構成】 本発明では上記目的を達成するため配線層7の平面位置が隣接するドットシード3の間を通るように構成する。

請求項（抜粋）：

主表面を有する単結晶半導体基板と、前記単結晶半導体基板の主表面上の所定領域に形成された第1の絶縁層と、前記単結晶半導体基板の主表面のうち前記第1の絶縁層が形成されない領域に形成された複数の種結晶領域と、前記種結晶領域から前記第1の絶縁層上に横方向に単結晶を成長させることにより形成した単結晶層からなり、前記第1の絶縁層上の所定領域に形成された感圧抵抗体層と、前記感圧抵抗体層および前記第1の絶縁層を覆うように形成され、前記感圧抵抗体層上の所定領域に開口を有する第2の絶縁層と、前記開口を介して前記感圧抵抗体層に電気的に接続されるとともに前記第2の絶縁層上に形成された配線層とを備え、前記複数の種結晶領域は、前記感圧抵抗体層を取り囲むように所定の間隔を隔てて形成されており、前記配線層は、その平面位置が前記隣接する種結晶領域の間を通るように形成されている、半導体圧力センサ。

IPC (3件)：

H01L 21/84 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-076959
  
• 特開平2-143465
  
• 特開昭61-095546