特許

J-GLOBAL ID：200903036019624218

半導体記憶装置およびそれを用いたメモリシステム

発明者： 坂本 渉
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-186762
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007052
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 データバス効率を向上させた半導体記憶装置およびメモリシステムを提供する。【解決手段】 アドレスバッファ2には第1のメモリ領域に対応するアドレスと第2のメモリ領域に対応するアドレスが入力されデータ入出力部30には第1、第2のメモリエリアから読出されたデータが交互に出力される。ダブルデータレートのデータバスにおいて、1回の読出動作におけるデータの塊(グラニュアリティ)が従来の半分となり、データバス効率が向上する。

請求項（抜粋）：

外部から与えられる第1のアドレスに対応する第1のメモリ領域と、前記第1のメモリ領域との間でデータ転送を行なう第1のデータバスと、外部から与えられる第2のアドレスに対応する第2のメモリ領域と、前記第2のメモリ領域との間でデータ転送を行なう第2のデータバスと、内部クロック信号に応じて前記第1、第2のデータバスを交互に切り換えて選択し、選択した前記第1、第2のデータバスのいずれか一方と外部データバスとの間でデータ通信を行なうデータ切換回路とを備える、半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 11/401 ,  G06F 12/00 597 ,  G06F 12/06 525 ,  G11C 11/407 ,  G11C 11/409

FI (5件)：

G06F 12/00 597 D ,  G06F 12/06 525 A ,  G11C 11/34 362 H ,  G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 354 R

Fターム (29件)：

5B060CA12 ,  5M024AA50 ,  5M024AA90 ,  5M024BB03 ,  5M024BB04 ,  5M024BB07 ,  5M024BB17 ,  5M024BB30 ,  5M024BB33 ,  5M024BB34 ,  5M024DD03 ,  5M024DD09 ,  5M024DD32 ,  5M024DD42 ,  5M024DD45 ,  5M024DD59 ,  5M024DD73 ,  5M024DD80 ,  5M024DD83 ,  5M024HH01 ,  5M024JJ03 ,  5M024JJ20 ,  5M024JJ32 ,  5M024KK24 ,  5M024LL01 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03 ,  5M024PP07