特許

J-GLOBAL ID：200903036030448600

定電流電源を用いた接触転写装置の電流値を定める方法

発明者： 大澤 達朗 ,  平島 安人 ,  古賀 欣郎 ,  高畑 俊哉
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-205674
公開番号（公開出願番号）：特開2000-035722
出願日： 1993年10月15日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【目的】 定電流制御により転写を行う転写装置の小型化、低コスト化および、画像メモリの発生しない良好な画像が得られる接触転写装置を提供すること。【構成】 潜像担持体1上のトナーを被転写体12へ転写するための潜像担持体1に圧接してなる抵抗値109 Ω以下の転写ローラ13と、この転写ローラ13に接続された定電流電源14とにより転写装置を構成している。そして、定電流電源14の電流値を、所定の範囲内に制御することにより、画像濃度を満足し、かつ画像メモリの発生をなくすことができる。

請求項（抜粋）：

潜像担持体に圧接してなる接触転写部材を有し、前記接触転写部材を定電流電源に接続して、前記潜像担持体上のトナーを被転写体に転写する定電流電源を用いた接触転写装置の電流値を定める方法において、接触転写部材と潜像担持体との接触面における長手方向の長さL(mm)、プロセス速度VP (mm/s)、潜像担持体の感光層の膜厚d(μm)、感光層の比誘電率εo が所定の値に定まってなる接触転写装置を用いて、接触転写部材の抵抗R(Ω)を変化させたときの印字デュ-ティによらず画像メモリの発生しない転写電流It(μA)の関係を実測して、転写電流Itが満足すべき上限を不等式化し、その転写電流Itが、感光層の膜厚dと反比例の関係にあり、接触面における長手方向の長さL、プロセス速度VP と比例関係にある関数以下のときに印字デュ-ティによらず画像メモリが発生しないことと、実測により得られた不等式の上限の式が接触転写装置に定まっている具体的な接触面における長手方向の長さ、プロセス速度、感光層の膜厚の値のときの前記関数の値であることとから、実測で得られた不等式の上限の式を接触面における長手方向の長さL、プロセス速度VP 、感光層の膜厚dについて一般化することにより、接触転写部材の抵抗R、接触面における長手方向の長さL、プロセス速度VP 、感光層の膜厚dに対して転写電流Itが満足すべき範囲を求めることを特徴とする定電流電源を用いた接触転写装置の電流値を定める方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 接触転写装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-258760   出願人：セイコーエプソン株式会社