半導体発光装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330500
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193325
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】戻り光に対して安定であり、低電流動作が可能な半導体発光素子を提供する。【構成】量子井戸発光層6が半導体多層膜(ブラッグ反射器)4,11で挟まれたマイクロ共振器型発光素子において、本量子井戸層6にn型不純物を添加する。【効果】本発明によれば、発光層での光吸収量を大幅に低減できるので、マイクロ共振器型発光素子の低電流動作が可能になる。これにより、光ファイバージャイロや光インターコネクト用光源などの適用できる高性能な半導体発光装置が提供できる。

請求項（抜粋）：

所定の半導体基板上に、少なくとも第1半導体と該第1半導体よりも屈折率の大きな第2半導体を周期的に積層してなる第1半導体領域と、少なくとも第3半導体と該第3半導体よりも屈折率の大きな第4半導体を周期的に積層してなる第2半導体領域と、上記第1半導体領域と上記第2半導体領域との間に挟まれた少なくとも電子と正孔が発光再結合を生じる第5半導体からなる第3半導体領域とを有し、上記第2半導体と上記第4半導体は上記第3半導体領域に接しており、上記第3半導体領域の実効的な屈折率の大きさは上記第2半導体と上記第4半導体の屈折率に比べ小さく、半導体内での発光波長をλとしたとき上記第3半導体領域の厚さdが0.4λ≦d≦0.6λの関係を満たしており、上記第5半導体もしくは該第5半導体に接した上記第3半導体領域内の半導体層の少なくとも一部にn型不純物が添加されていることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (11件)

面型発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-039171 出願人：日本電信電話株式会社
半導体多層反射膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-212524 出願人：日本電気株式会社
特開平3-229480

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