特許

J-GLOBAL ID：200903036035289526

化合物半導体薄膜の製造方法

発明者： 渡辺 隆行 ,  中沢 秀伸
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-341706
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174306
出願日： 1998年12月01日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 表面形態および面内組成が均一で、結晶性の高いIb-IIIb-VIb2 族化合物半導体薄膜の製造方法と、変換効率の高い太陽電池を提供する。【解決手段】 Ib族元素とIIIb族元素を含む前駆体薄膜を熱処理してIb-IIIb-VIb2 族化合物半導体薄膜を製造する際に、少なくとも熱処理温度まで昇温される工程を、カルコゲン元素含有化合物ガスと酸素ガスとが存在する雰囲気中で行い所望の化合物半導体薄膜が得られ、これを光吸収層として用いた太陽電池は、酸素ガスを添加せずに熱処理した場合と比較して、高い変換効率が得られる。

請求項（抜粋）：

Ib族元素とIIIb族元素を含む前駆体薄膜をカルコゲン元素X(XはS、SeおよびTeのうち少なくとも一つ)を含有するガス雰囲気中で熱処理することにより、Ib-IIIb-VIb2 族化合物半導体薄膜を製造する方法において、前記前駆体薄膜の熱処理の昇温工程が、少なくともIIIb族の凝集が生じる温度までカルコゲン元素含有化合物ガスと酸素ガスとが存在する雰囲気中で行われることを特徴とするIb-IIIb-VIb2 族化合物半導体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/365

FI (2件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 21/365

Fターム (16件)：

5F045AA19 ,  5F045AB23 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AF10 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA57 ,  5F045EE11 ,  5F045EK27 ,  5F045HA16 ,  5F051AA10 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29