特許
J-GLOBAL ID：200903036042270296

バリアメタル膜形成方法及び配線形成方法

発明者：
渡部 幹雄

渡部 幹雄 について

, 
森川 泰宏

森川 泰宏 について

, 
水野 栄一

水野 栄一 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (1件)： 打揚 洋次 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-376885
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179133
出願日： 2001年12月11日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 半導体デバイス用金属配線におけるDCV構造形成のために、コンタクトホール等の底部のバリアメタル膜のみを選択的に除去することができるバリアメタル膜形成方法及びDCV構造の配線形成方法の提供。【解決手段】 基板のホール、溝内を含む全面に、イニシャルバリアメタル膜を、ステップカバレッジが0.5未満である厚さで形成した後、ハロゲン化窒素ガスと窒素ガス、アルゴンガス及び水素ガスの少なくとも1種のガスとの混合ガスを用いて、(ホール等の底部のエッチングレート)/(ホール等の周囲部のエッチングレート)>(ステップカバレッジ値)の関係を満足するエッチングレートでエッチングして、選択的にボトム抜きを行う。その後、メッキ法により上層配線を形成し、DCV構造を形成。
請求項（抜粋）：
配線のコンタクトホールや溝が形成されている基板のコンタクトホールや溝内を含む全面にイニシャルバリアメタル膜を形成した後、エッチングにより、該コンタクトホールや溝の底部のバリアメタル膜を除去し、その周囲部及び側壁部にバリアメタル膜を形成する方法において、該イニシャルバリアメタル膜をステップカバレッジが小さな値を持つような厚さで基板全面に形成した後、該エッチングを、次式:(該コンタクトホールや溝の底部のエッチングレート)/(該コンタクトホールや溝の周囲部のエッチングレート)>(ステップカバレッジ値)の関係を満足するエッチングレートで行って、該底部のバリアメタル膜のみをエッチングして除去し、該周囲部及び側壁部には該膜を残すことを特徴とするバリアメタル膜形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 J
Fターム (56件)：
5F004BA20 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA11 ,  5F004DA17 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH28 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM10 ,  5F033MM13 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033WW00 ,  5F033XX09
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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