特許

J-GLOBAL ID：200903036045180778

赤外線撮像装置

発明者： 久 義浩
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-321317
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267695
出願日： 1991年11月06日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 受光層における表面リーク電流とMISスイッチ部における暗電流の両者を低減できるとともに、受光感度と電極の接続精度が向上した高性能且つ高信頼性の赤外線撮像装置を得る。【構成】 禁制体幅の小さいp型半導体基板1上に禁制体幅の大きいp型半導体層2を積層し、この禁制体幅の大きいp型半導体層2の表面から禁制体幅の小さいp型半導体基板1にPN接合が届くようにn型不純物を拡散して受光層5を形成するとともに、受光層5の近傍の禁制体幅の大きいp型半導体層2内に高濃度のn型不純物拡散領域4を形成し、更に、受光層5とn型不純物拡散領域4と間の禁制体幅の大きいp型半導体層2上に上記受光層5,n型不純物拡散領域4とともにMISスイッチ9を構成するMIS電極8を形成する。

請求項（抜粋）：

禁制帯幅の小さい第1導電型の半導体層と、該禁制帯幅の小さい第1導電型の半導体層上に積層された禁制帯幅の大きい第1導電型の半導体層と、上記禁制帯幅の大きい第1導電型の半導体層表面から上記禁制帯幅の小さい第1導電型の半導体層内に届くように第2導電型不純物が拡散して形成された受光層と、上記受光層に並設するよう、上記禁制帯幅の大きい第1導電型の半導体層表面から内部に向けて第2導電型不純物が拡散して形成された第2導電型不純物拡散領域と、上記受光層と上記第2導電型不純物拡散領域との間の上記禁制帯幅の大きい第1導電型の半導体層上に形成され、これら受光層,第2導電型不純物拡散領域とともにMISスイッチを構成するMIS電極とを備えたことを特徴とする赤外線撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 31/0352 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 K ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-076382
  
• 特開昭57-107082