特許

J-GLOBAL ID：200903036050678130

配線用金属形成での前処理方法

発明者： 大竹 文雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-057878
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259103
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造過程における配線用金属の形成のために半導体基板を前処理する方法に関し、半導体基板の表出域の自然酸化膜を還元作用で除去して良好なコンタクト特性を配線金属に与えることの可能な前処理方法を提供する。そして、良好なコンタクト特性の確保に加えてコンタクトホールの充填(一部充填)を可能にする前処理方法を提供する。【構成】 絶縁層を有しかつコンタクト表出域のある半導体基板に配線用金属を形成する前に、Geを構成元素に有するガスを少なくとも含んでなる還元性ガスを用いてコンタクト表出域の自然酸化物を除去し、続いて少なくともGeからなる膜をコンタクト表出域の上のみに形成する。還元性ガスに、Siを構成元素に有するガスを含ませて、SiGe膜を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁層を有しかつコンタクト表出域のある半導体基板に配線用金属を形成する前に、Geを構成元素に有するガスを含んでなる還元性ガスを用いて前記コンタクト表出域の自然酸化物を除去することを特徴とする配線用金属形成での前処理方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-205830
  
• 特開平2-058217
  
• 特開平2-308526
  
• 特開平4-022182