特許

J-GLOBAL ID：200903036051242750

化合物半導体装置

発明者： 藤田 忍 ,  芦沢 康夫 ,  野田 隆夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-051834
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267994
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ゲ-トのリ-ク電流を増大させることなく半導体層の表面の酸化を防止した、信頼性の高いヘテロ接合電界効果型化合物半導体装置を提供すること。【構成】 ヘテロ接合を有する半導体多層構造と、この半導体多層構造の上にそれぞれ形成されたソ-ス電極、ドレイン電極及びゲ-ト電極を具備するヘテロ接合電界効果型半導体装置。半導体多層構造は、Alを含む禁制帯幅の広い第1の半導体層14と、この第1の半導体層上に形成されたAlを含まない第2の半導体層18とを有し、この第2の半導体層上にソ-ス電極15、ドレイン電極17及びゲ-ト電極16が形成されており、ゲ-ト電極と第2の半導体層とは合金層29を形成し、この合金層が第1の半導体層に到達していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ヘテロ接合を有する半導体多層構造と、この半導体多層構造の上にそれぞれ形成されたソ-ス電極、ドレイン電極及びゲ-ト電極を具備するヘテロ接合電界効果型半導体装置であって、前記半導体多層構造は、Alを含む禁制帯幅の広い第1の半導体層と、この第1の半導体層上に形成されたAlを含まない第2の半導体層とを有し、この第2の半導体層上に前記ソ-ス電極、ドレイン電極及びゲ-ト電極が形成されており、前記ゲ-ト電極と第2の半導体層とは合金層を形成し、この合金層が前記第1の半導体層に到達していることを特徴とするヘテロ接合電界効果型化合物半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-143577
  
• 特開昭58-143577