特許
J-GLOBAL ID：200903036056676732
磁気抵抗センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-319003
公開番号（公開出願番号）：特開平9-161232
出願日： 1995年12月07日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 低磁場において,大きな抵抗変化率を示す磁気センサを得る。【解決手段】 基板の主面上に設けられた第1強磁性層/絶縁層/第2強磁性層の積層構造からなるトンネル接合を有し,印加磁場の無い場合は該第1強磁性層と該第2強磁性層の磁化の方向が直交し,且つ第1強磁性層の磁化の方向が該基板の一端面を指定した磁場感知面に対して平行で,該第2強磁性層の磁化の方向が該磁場感知面に対して垂直となるように配置され,該磁場感知面に垂直方向の外部磁場を測定する磁気抵抗センサであって,該第1強磁性層が該磁場感知面に接近して設けられている磁気抵抗センサ。
請求項（抜粋）：
基板の主面上に設けられた第1強磁性層/絶縁層/第2強磁性層の積層構造からなるトンネル接合を有し,印加磁場の無い場合は該第1強磁性層と該第2強磁性層の磁化の方向が直交し,且つ第1強磁性層の磁化の方向が該基板の一端面を指定した磁場感知面に対して平行で,該第2強磁性層の磁化の方向が該磁場感知面に対して垂直となるように配置され,該磁場感知面に垂直方向の外部磁場を測定する磁気抵抗センサであって,該第1強磁性層が該磁場感知面に接近して設けられていることを特徴とする磁気抵抗センサ。
引用特許：
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