特許
J-GLOBAL ID：200903036059926128
導電体の形成方法及び磁気ヘッドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350703
公開番号（公開出願番号）：特開平10-198930
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 製造過程において、ウエットエッチング液により侵食されることのない導電体の形成方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。【解決手段】 下地膜17上に形成するレジストフレーム18の幅W2 を5〜20μmに形成してめっき層20を形成する。従って、このレジストフレーム18Aを除去すれば5〜20μm幅の溝21が形成され、コアカバー24形成用のフォトレジストが溝21の中へ満遍なく充填され、残されるべきめっき膜20及び下地膜17、16、15が十分に被覆され、ウエットエッチング液で侵食されることがなくなる。
請求項（抜粋）：
支持体上に下地導電膜を介して所定パターンの導電体を形成するに際し、前記下地導電膜上に導電体材料層を形成する工程と、前記導電体材料層と前記下地導電膜とを通して所定パターンの溝を5〜20μmの幅に形成する工程と、前記溝にマスク層を充填すると共に、残されるべき前記導電体材料層上も前記マスク層によって被覆する工程と、前記マスク層を用いて、このマスク層のない非マスク領域に存在する前記導電体材料層及び前記下地導電膜を除去する工程とを行う、導電体の形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11B 5/39
, G11B 5/31 C
, G11B 5/31 K
