特許

J-GLOBAL ID：200903036060461910

半導体装置の製法

発明者： 津守 昌彦
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-291679
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140409
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 少ない工程で、しかも簡単にバリアメタルを形成し、電気伝導度のよいバンプを有する半導体装置の製法を提供する。【構成】 半導体基板1の表面のボンディングパッド3上に、無電解メッキ法によりバリアメタル5を形成し、前記バリアメタル5上にスクリーン印刷法などでバンプ9を形成する。前記バリアメタルはZn膜6、Ni膜7、およびAu膜8などの積層体として形成されることが好ましい。

請求項（抜粋）：

半導体基板に半導体回路が形成され、該半導体回路から外部導出用の電極膜が半導体チップの周縁部に導出されてボンディングパッドが形成され、該ボンディングパッド上に外部リードとの接続用のバンプが設けられてなる半導体装置の製法であって、前記ボンディングパッド上に無電解メッキ法によりバリアメタルを設け、該バリアメタル上にバンプを形成することを特徴とする半導体装置の製法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-224336
  
• 特開平3-225923
  
• 特開昭63-305532