特許
J-GLOBAL ID：200903036061693165
半導体マトリクス型微細面圧分布センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-122637
公開番号（公開出願番号）：特開平6-288845
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 製造時における位置合わせが不要でしかも部位により感度のばらつきのない半導体マトリクス型微細面圧分布センサを提供すること。【構成】 半導体製造技術を用いて一枚の半導体基板Kに多数の半導体スイッチング素子をマトリクス状に形成し、その半導体基板上の対向面全面に導電膜2を有する可撓性フィルム1を重ねて配置し、面圧力によるマトリクスの任意の面(20μm×20μm)と導電膜2との間の接触の度合を1ポイントずつスキャンしながら面圧力の分布を検出するように構成した。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に複数の半導体スイッチング素子をマトリクス状に面分布形成し、該半導体スイッチング素子の出力電極の一部を露呈させ、前記半導体基板の対向面に導電膜を有する可撓性フィルムを重ねて配置し、面圧力を受けると前記可撓性フィルムのその部分が撓んで該部位に位置する半導体スイッチング素子の電極を介して導通するように構成し、その接触の程度を前記導電膜の電圧を測定することにより面圧力分布をデジタル的またはアナログ的に検出するようにしたことを特徴とする半導体マトリクス型微細面圧分布センサ。
IPC (2件)：
G01L 5/00 101
, H03K 17/00
