特許

J-GLOBAL ID：200903036062772808

樹脂封止型高耐圧半導体装置並びにその製造方法及び製造装置

発明者： 九嶋 忠雄 ,  清水 英雄 ,  栗原 保敏 ,  田中 明 ,  斉藤 隆一 ,  鈴木 和弘 ,  小池 義彦 ,  山田 一二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-087905
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283658
出願日： 1996年04月10日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】絶縁基板の浮きパターン部に、端子接合に用いた半田ペーストのフラックスが浸入せず、従ってフラックス残渣がなく、ゲル状樹脂の硬化阻害の発生がない構造とすることを主目的としており、端子の新半田接合方法及び絶縁基板の浮きパターン部が充填したゲル状樹脂にクラックを誘発させない構造並びに半田ペーストを使わない半田付け方法により、高信頼性が確保でき、安価な樹脂封止型高耐圧半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、樹脂封止型高耐圧半導体装置で、樹脂ブロック8に固定された複数の内部導電リード端子7,絶縁基板(例えばAlN絶縁基板)2A,浮きパターン部4A,ベース基板(例えばMo金属ベース)1,ベース接合半田(例えばSn,Pbの2元系半田)6,端子接合半田9C,ゲル状樹脂12A,半田ペースト9B,外部ケース11からなる。

請求項（抜粋）：

複数本の内部導電リード端子を有し、該リード端子を、部分的に浮かし構造とした絶縁基板上の導電パターン部に接合した樹脂封止型高耐圧半導体装置において、該絶縁基板上の浮かし導電パターン直下に、端子接合に用いたはんだペーストのフラックス残渣がない半田接合構造を特徴とする樹脂封止型高耐圧半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2件)：

H01L 23/28 A ,  H01L 23/30 B