特許

J-GLOBAL ID：200903036075724985

半導体装置

発明者： 山川 裕之
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238820
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066329
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】ガラス基板上に半導体装置を実装する際の補強材としての樹脂の耐久性を確保して半導体装置の信頼性を高めること。【構成】図1で、ガラス基板2上にフリップチップIC1がバンプ半田付けされ、基板2とIC1との間にできたすき間を樹脂4で固定してある。樹脂4に混入するフィラーのシリカ粒径は、より大粒径のシリカが混入できるよう求め、係数値目標として、耐久性等の試験から35ppm/°C以下を条件とし、粘度の観点からは、650poise以下であることを条件とした。その結果、望ましいフィラーとして3μmの場合が最も良く、この場合のフィラーの含有率は65%で、この樹脂の線膨張係数は23ppm/°C、粘度は約500poiseとなり、IC1と基板2とのすき間に流動性よく、均一に充填できて樹脂充填の偏りをなくし、耐久性をクリアする充填樹脂が提供できた。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上にICを実装し、樹脂で該ICを補強する構造の半導体装置において、前記ICと前記ガラス基板とのギャップ間に、樹脂を充填する構造を有し、前記樹脂は、線膨張係数が35ppm/°C以下であり、粘度が650poise 以下のエポキシ樹脂であって平均粒径3μm、最大粒径30μmのシリカ粒フィラーを65±10%混合していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28