特許

J-GLOBAL ID：200903036077339906

MIS型半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-282027
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132521
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体基板上で良好な特性を示すMIS型デバイスを構成する。【構成】 絶縁膜形成前にGaAs基板をイオウ(S)でパッシベーションすることにより界面準位密度が低減できることが知られている。本発明では、有磁場マイクロ波プラズマ装置内でS2 F2 ガスを用いたプラズマ処理を行い、n+ 型GaAs層3およびn型GaAs層2の表面にS(イオウ)原子を吸着させてパッシベーション層5を形成する。S2 F2 は大量にF* を放出しないので、不要な下地エッチングが起こらない。このパッシベーション前に、RFバイアス・パワーを若干印加してGaAs表面の酸化膜等を除去すれば、界面準位密度を一層低減させることができる。パッシベーションがドライ・プロセス化されることにより、連続工程で絶縁膜が成膜できるようになり、スループットが向上する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に絶縁膜を成膜した後、該絶縁膜上に電極材料層を積層するMIS型半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜の成膜に先立ち前記化合物半導体基板に対してS2 F2 ,SF2 ,SF4 ,S2 F10,S3 Cl2 ,S2 Cl2 ,SCl2 ,S3 Br2 ,S2 Br2 ,SBr2 から選ばれる少なくとも1種類のハロゲン化イオウを含むガスを用いてプラズマ処理を行うことを特徴とするMIS型半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/314

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-091435
  
• 特開平3-265135
  
• 特開平4-257227