特許

J-GLOBAL ID：200903036079500330

不揮発性メモリ

発明者： 中尾 広宣
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 古谷 栄男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-006804
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190863
出願日： 1992年01月17日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】セル面積を小さくでき、製造が容易で、製造コストを低くすることができる不揮発性メモリを提供することを目的とする。【構成】不揮発性メモリ21は、Pウェル2内に、ドレイン3、ソース4、電荷保持用絶縁膜6で覆われたチャネル形成領域10a、10bを備えている。チャネル形成領域10a、10bの上部にはメモリゲート電極5および、絶縁性サイドウォール23が設けられている。メモリゲート電極5にプログラム電圧を印加することにより、チャネル形成領域10bにチャネルが形成され、ソース4には反転電圧を印加することによって、空乏層が拡大し、チャネル形成領域10aがオン状態となる。なお、不揮発性メモリ21の製造工程において、絶縁性サイドウォール23によってチャネル形成領域10bの幅Wを正確に決定することができる。

請求項（抜粋）：

第1領域、第1領域との間に電路形成可能領域を形成するように設けられた第2領域、電荷を保持するため電路形成可能領域を覆う電荷保持用絶縁膜、電荷保持用絶縁膜上に設けられた制御電極、第1領域用の電極、を備えた不揮発性メモリにおいて、電路形成可能領域を、第1の電路形成可能領域と第2の電路形成可能領域に分け、第1の電路形成可能領域上に制御用電極を備え、第2の電路形成可能領域上に、制御電極の側壁と隣接する絶縁性側壁を備えたこと、を特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (2件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-044947
  
• 特開昭52-005409