特許
J-GLOBAL ID：200903036081464260
フォトマスク及び半導体装置の製造方法並びに光近接効果補正方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
森 哲也
, 内藤 嘉昭
, 崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-176756
公開番号（公開出願番号）：特開2005-010635
出願日： 2003年06月20日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】マスクパターンを変形させることなく光近接効果補正を行える新規なフォトマスク及び半導体装置の製造方法並びに光近接効果補正方法の提供。【解決手段】透光性の支持体12上のマスクパターンPに、その密集部分に配置される一部の遮光ラインLあるいは全部の遮光ラインL上を解像されない形状で部分的に刳り貫く。これによって、マスクパターンPを細くしたり太くしたりして変形させることなく、光密度を均一化して光近接効果補正を容易に行える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透光性の支持体上に遮光ラインが疎密に配置されたマスクパターンを備えたフォトマスクにおいて、
上記マスクパターンは、その密集部分に配置される一部の遮光ラインあるいは全部の遮光ライン上を解像されない形状で部分的に刳り貫いてその光密度を孤立部分に配置される遮光用ラインの光密度と揃えるように光近接効果補正がなされていることを特徴とするフォトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
