特許

J-GLOBAL ID：200903036083265302

半導体レーザ装置

発明者： 松岡 直之
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-034707
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063286
出願日： 1991年02月28日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は、複雑で大規模な高周波外部回路を用いることなく、レーザに高周波を重畳できることを主要な目的とする。【構成】化合物半導体基板1と、この基板上にオーミック層2、活性層4,キャップ層6及び埋込み層7を介して形成されたレーザ表電極8と、前記基板上に前記オーミック層2を介して形成され、レーザ用とガンダイオード用を兼ねるレーザ裏電極11と、前記基板1の裏面にオーミック層2を介して形成されたガン電極13とを具備し、レーザを支える基板自体をガンダイオード14として動作させ、このダイオードで発生した高周波を直接レーザに印加することを特徴とする半導体レーザ装置。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板と、この基板上にオーミック層、活性層,キャップ層及び埋込み層を介して形成されたレーザ表電極と、前記基板上に前記オーミック層を介して形成され、レーザ用とガンダイオード用を兼ねるレーザ裏電極と、前記基板の裏面にオーミック層を介して形成されたガン電極とを具備することを特徴とする半導体レーザ装置。