特許
J-GLOBAL ID：200903036086150913
ハーフトーンマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-244265
公開番号（公開出願番号）：特開2000-075466
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 従来のプロセスでは、ハーフトーンマスク製造の歩留まりが小さい。O2 プラズマによるアッシングレートが不安定になるためである。アッシングレートが小さい場合、中間調レジストを除去できないため、ハーフトーンマスクを作製できない。【解決手段】 石英基板1上にモリブデンシリサイド膜2、クロム膜3及び電子ビームレジスト4を順次形成する。次に、電子ビームレジストの一部が現像によっても所定の膜厚だけ残存する第1描画領域と、電子ビームレジスト4が現像により完全に除去される第2描画領域とを形成する。次に、現像後、第2描画領域4bが完全に除去された電子ビームレジスト4をマスクにクロム膜3をエッチングした後、第1描画領域のレジストが所定の膜厚になるまでアッシングを行う。次に、パターニングされたクロム膜3をマスクにモリブデンシリサイド膜2をパターニングすると同時に、第1描画領域の電子ビームレジスト4aを完全に除去する。次に、電子ビームにより描画されていない電子ビームレジスト4をマスクにクロム膜3をパターニングする。
請求項（抜粋）：
透明基板上に半透明膜を有し、且つ、該半透明膜上に遮光膜を有するブランクマスクに電子ビームレジストを塗布する工程と、電子ビームの電荷量を制御することにより、上記電子ビームレジストの一部が現像によっても所定の膜厚だけ残存する第1描画領域と、上記電子ビームレジストが現像により完全に除去される第2描画領域とを形成する工程と、現像により、上記電子ビームレジストが2階調の膜厚になるようにパターニングを行う工程と、上記第2描画領域が完全に除去された電子ビームレジストをマスクに上記遮光膜をエッチングし、所定パターンの遮光膜を形成した後、アッシングにより上記第1描画領域の電子ビームレジストを完全に除去する工程と、上記パターニングされた遮光膜をマスクに上記半透明膜をパターニングする工程と、電子ビームにより描画されていない上記電子ビームレジストをマスクに上記遮光膜をパターニングする工程とを有することを特徴とする、ハーフトーンマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (5件)：
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 B
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
, H01L 21/30 572 A
2H095BB01
, 2H095BB09
, 2H095BB10
, 2H095BB17
, 2H095BC01
, 2H095BC24
, 5F046AA25
, 5F046CB17
