特許

J-GLOBAL ID：200903036086887169

炭化ケイ素発光ダイオード素子

発明者： 古賀 和幸 ,  太田 潔 ,  狩野 隆司 ,  鈴木 順子
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-166889
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022648
出願日： 1993年07月06日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 発光強度の大きいSiC発光ダイオード素子を提供することを目的とする。【構成】 n型SiC基板2と、該n型SiC基板2の一主面2a上に形成されたn型SiC層3と、該n型SiC層3上に形成されたp型SiC層4と、該p型SiC層4上の一部に形成されたp型側電極5と、前記n型SiC基板2の該p型側電極5と反対側上に形成されたn型側電極6と、を備え、前記n型SiC基板2の他の一主面2bが前記一主面2aに対して角度θ1を有する構成とした。

請求項（抜粋）：

n型炭化ケイ素基板と、該n型炭化ケイ素基板上に形成されたn型炭化ケイ素層と、該n型炭化ケイ素層上に形成されたp型炭化ケイ素層と、該p型炭化ケイ素層上の一部に形成されたp型側電極と、前記n型炭化ケイ素基板の該p型側電極と反対側上に形成されたn型側電極と、を備え、前記n型炭化ケイ素基板のp型側電極と反対側で且つ対向する部分に、前記p型炭化ケイ素層の表面に対して非平行な面を具備したことを特徴とする炭化ケイ素発光ダイオード素子。