特許

J-GLOBAL ID：200903036087156591

半導体レーザ

発明者： 内田 徹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-092044
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288587
出願日： 1995年04月18日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザに関し、光導波路層とクラッド層とのヘテロ接合界面における積層欠陥や転位の発生を防止してレーザ発振の効率を向上させると共に、再現性良く半導体レーザを製造する。【構成】 半導体基板1と、半導体基板1との格子定数の差が0.5〜3.0%であるクラッド層3との間にグレーデッドバッファ層2を設けると共に、少なくともIn、Ga、及び、Pを含む光導波路層4、及び、クラッド層3,7に対して0.5〜2.0%の歪みを有する歪み量子井戸活性層6を設けた半導体レーザにおいて、活性層6と光導波路層4との間にGaAs層5を挿入する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板との格子定数の差が0.5〜3.0%であるクラッド層との間にグレーデッドバッファ層を設けると共に、少なくともIn、Ga、及び、Pを含む光導波路層、及び、前記クラッド層に対して0.5〜2.0%の歪みを有する活性層を設けた半導体レーザにおいて、前記活性層と前記光導波路層との間にGaAs層を挿入したことを特徴とする半導体レーザ。