特許
J-GLOBAL ID：200903036088195957
磁気ディスクの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金丸 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127693
公開番号（公開出願番号）：特開平5-325183
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【構成】 基板温度 250°C以上にて基板の上に、磁性体層、保護層を順にスパッタ法により形成して磁気ディスクを製造するに際し、保護層の構成材料として前記基板温度において磁性体層中へ拡散しない非拡散性元素、例えばZrを用いるようにする。【効果】 CoCr系合金磁性体層中の結晶粒界に基板温度を高めることによって偏析が促進されるCrの偏析量が、保護層を構成する非拡散性元素によって減少するということがなく、高い保磁力を有する磁気ディスクが得られる。
請求項（抜粋）：
基板温度 250°C以上にて基板の上に、磁性体層、保護層を順にスパッタ法により形成して磁気ディスクを製造する方法において、前記保護層の構成材料として前記基板温度において前記磁性体層中へ拡散しない非拡散性元素を用いることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
