亜鉛還元による高純度シリコンの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-217497
公開番号（公開出願番号）：特開平11-060228
出願日： 1997年08月12日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：

【要約】【課題】太陽電池用として品質的に安定し、低価格化に対応した高純度の多結晶シリコンを製造する方法を提供する。【解決手段】(1)亜鉛含有鉱石と酸素を反応させて亜鉛酸化物を生成して、この亜鉛酸化物を炭素で還元し亜鉛ガスを発生させ、発生した亜鉛ガスを蒸留・凝縮して溶融亜鉛を採取する亜鉛製錬工程と、シリコン原料である四塩化珪素を亜鉛還元する工程とを連結する高純度シリコンの製造方法であって、亜鉛還元に際し反応容器内で四塩化珪素を前記溶融亜鉛で還元し、多結晶シリコンを回収することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。(2)上記(1)と同様に、亜鉛製錬工程と、四塩化珪素を亜鉛還元する工程とを連結する高純度シリコンの製造方法であって、亜鉛還元に際し反応容器内で四塩化珪素を前記亜鉛ガスで還元し、多結晶シリコンを回収することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。

請求項（抜粋）：

亜鉛含有鉱石と酸素を反応させて亜鉛酸化物を生成して、この亜鉛酸化物を炭素で還元し亜鉛ガスを発生させ、発生した亜鉛ガスを蒸留・凝縮して溶融亜鉛を採取する亜鉛製錬工程と、シリコン原料である四塩化珪素を亜鉛還元する工程とを連結する高純度シリコンの製造方法であって、亜鉛還元に際し反応容器内で四塩化珪素を前記溶融亜鉛で還元し、多結晶シリコンを回収することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。

IPC (4件)：

C01B 33/02 , C01B 33/033 , C22B 19/04 , H01L 31/04

FI (4件)：

C01B 33/02 E , C01B 33/033 , C22B 19/04 , H01L 31/04 H

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