特許
J-GLOBAL ID：200903036089425484
異物検査装置および異物検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-265982
公開番号（公開出願番号）：特開平6-118009
出願日： 1992年10月05日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板上の異物検出の高感度化、感度安定、高精度化を目的とする。【構成】 多層薄膜基板に対して広域にわたるそれぞれの波長の光の反射率を測定し、反射率が極大となる波長の光を異物検査法の検出光として各多層薄膜基板毎に選択する。光源には広帯域光源を用い、選択された波長のフィルターで狭帯域化された光をウェハー上に照射し、検出光および半導体ウェーハを移動させることによりウェーハ上の異物を検査する。【効果】 半導体ウェーハ上に形成された堆積膜の膜厚の微小変動に伴う検出感度の変動を抑制し、安定した感度の異物検査を実現することが可能となる。
請求項（抜粋）：
単色光の散乱を用いて半導体基板上の異物を非破壊に検出する方式の異物検査方法において、前記半導体基板上に形成した多層薄膜の反射率に対して極大値をもつ波長の光を検出光として選択して、前記多層薄膜に照射することを特徴とする異物検査方法。
IPC (3件)：
G01N 21/88
, G01R 31/26
, H01L 21/66
