多値強誘電体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-208967
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040378
出願日： 1998年07月24日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】強誘電体メモリを適用した、1メモリセルキャパシタに3値以上の分極量を記憶させることのできる、多値強誘電体メモリを提供すること。【解決手段】少なくとも1個の強誘電体膜を用いたキャパシタFCと、このキャパシタに直列に接続された1個のMOS FET(Tr)とを備え、キャパシタの一方の電極に与えられる電位により変化するn値(n≧3)の分極量を情報として蓄積するメモリセルを有することを特徴とする。強誘電体は特有のヒステリシス曲線に示す様に、電源をオフしても分極が残り、不揮発性を示す。データの書き込みの際に、メモリセルキャパシタのプレート電極とストレージノードの間の電圧を変えることにより、1メモリセルに3値以上の分極量を蓄積させる。

請求項（抜粋）：

少なくとも強誘電体膜を用いたキャパシタと、このキャパシタの一方電極に電流通路の一端が接続され他端がデータに対応する電位を伝達するビット線に接続された少なくとも1個のスイッチ素子とを具備し、前記キャパシタの他方電極はプレート電極となり、第i(i;1≦i≦nを満たす整数)のデータに関し少なくとも、前記プレート電極に高電位レベルを与えた状態で、前記スイッチ素子を介してキャパシタの一方電極に伝達されるビット線の電位に応じてこのキャパシタに印加される電界を、強誘電体膜の持つ分極-電界ヒステリシス曲線における一方の分極の実質的な飽和領域に入る点と残留分極点の間の任意の点に位置するように制御し、かつその後、前記プレート電極に低電位レベルを与えてヒステリシス曲線における前記残留分極点と他方の分極の実質的な飽和領域に入る点の間の任意の点に位置するように制御することにより再書き込みを行う、n値(n≧3)の分極量をデータとして蓄積するメモリセルを有することを特徴とする多値強誘電体メモリ。

IPC (3件)：

G11C 14/00 , G11C 11/22 , G11C 11/56

FI (3件)：

G11C 11/34 352 A , G11C 11/22 , G11C 11/34 381 D

Fターム (4件)：

5B024AA07 , 5B024AA15 , 5B024BA01 , 5B024CA25

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