特許
J-GLOBAL ID：200903036091837706
半導体装置の封止方法と封止構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-115079
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315397
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 封止樹脂の熱硬化時の硬化収縮の熱応力や封止樹脂の吸湿による膨潤のための接合部への応力や、高温時や低温時の接合部への熱応力がなくなり、半導体装置と回路基板とを信頼性良く接続する。【構成】 フェースダウンで回路基板2に実装された半導体装置1と回路基板2との間隙に揮発性溶剤を充填して周囲を絶縁樹脂7で封止し、充填した揮発性溶剤を揮発して空隙8を設け、半導体装置1の周囲をシリコーン樹脂7で半導体装置1を回路基板2に保持する封止構造とする。
請求項（抜粋）：
半導体装置をフェースダウンで回路基板に実装する半導体装置の封止方法において、フェースダウンで実装した半導体装置と回路基板との間隙に揮発性溶剤を充填する工程と、上記半導体装置の周囲を絶縁樹脂で封止して上記揮発性溶剤を密封する工程と、半導体装置と回路基板との間隙に充填した揮発性溶剤を揮発させて半導体装置と回路基板との間隙に空隙を設ける工程とを有することを特徴とする半導体装置の封止方法。
IPC (4件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/56
, H01L 23/29
, H01L 23/31
