特許

J-GLOBAL ID：200903036105735553

高効率シリコン-ゲルマニウム太陽電池

発明者： ホルスト キッベル ,  ウルフ ケーニッヒ ,  ヨハネス コンレ ,  ハルトムート プレスティング
出願人/特許権者： ダイムラークライスラー アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-374692
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203977
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、シリコンp-nダイオード接合部の空間電荷帯域中に作用ベース層としての量子井戸構造体を有するシリコン-ゲルマニウム薄層太陽電池を内容とする。【解決手段】 量子井戸構造体は、シリコン及びゲルマニウムからなる層順序から構成されている。【効果】 本発明の方法により、シリコン太陽電池中に高吸収性ベース層が製造される。

請求項（抜粋）：

シリコン-ゲルマニウム薄層太陽電池において、シリコン基板(1、2、3)の上に、シリコンとゲルマニウムとからの層順序から構成された量子井戸構造体が、シリコンp-nダイオード接合部(6、7)の空間電荷帯域中に対応配置されていることを特徴とする、シリコン-ゲルマニウム薄層太陽電池。

Fターム (5件)：

5F051AA02 ,  5F051CB11 ,  5F051CB12 ,  5F051DA03 ,  5F051DA13