特許

J-GLOBAL ID：200903036111488002

炭化珪素体

発明者： 山田 裕丈 ,  村井 真 ,  古久保 浩 ,  大橋 玄章
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-104379
公開番号（公開出願番号）：特開2000-351615
出願日： 2000年04月06日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】高純度であって、かつ相対密度の高い緻密質の炭化珪素体において、その電気抵抗率を上昇させる。【解決手段】炭化珪素多結晶からなる炭化珪素体であって,炭化珪素の純度が99.9999重量%以上であり、相対密度が99%以上であり、珪素の比率が70.12重量%以上である。好ましくは、炭化珪素体の室温での電気抵抗率が100000Ω・cm以上であり、炭化珪素結晶の平均粒径が5μm以下であり、炭化珪素体が化学的気相成長法によって成膜されている。

請求項（抜粋）：

炭化珪素多結晶からなる炭化珪素体であって,炭化珪素の純度が99.9999重量%以上であり、相対密度が99%以上であり、珪素の比率が70.12重量%以上であることを特徴とする、炭化珪素体。

IPC (4件)：

C01B 31/36 601 ,  C01B 31/36 ,  C04B 35/565 ,  C23C 16/42

FI (4件)：

C01B 31/36 601 F ,  C01B 31/36 601 Z ,  C23C 16/42 ,  C04B 35/56 101 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 新規な光透過性の自立β-SiCとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-283398   出願人：シーブイディー,インコーポレイティド
• ガラス製光学素子成形用型
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-041948   出願人：日本タングステン株式会社
• 高電気抵抗及び高熱伝導再結晶SiC焼結体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-072644   出願人：日本碍子株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Heteroepitaxial Growth of SiC films on AlN/Al2O3 substrates