特許
J-GLOBAL ID：200903036117167399
光磁気記録媒体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-321613
公開番号（公開出願番号）：特開平6-176412
出願日： 1992年12月01日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 本発明は光磁気記録媒体に関し、光変調オーバーライトや光スポット以下の微小記録磁区の再生等を行うに当たって、初期化動作のための初期化磁界が低減あるいは不要となり、かつ初期化動作及び転写動作を良好に行うための各磁性膜の組成の選択の自由度の大きい高性能の媒体を提供するものである。【構成】 本発明の光磁気記録媒体は、基板上に、再生磁性膜,制御磁性膜及び記録磁性膜からなる記録層を有し、温度上昇時に前記制御磁性膜を介して交換結合力によって前記記録磁性膜から前記再生磁性膜へ磁化の向きが転写される構成であって、前記記録磁性膜は垂直磁化膜であり、前記制御磁性膜は室温では面内磁化膜でかつ補償温度が前記転写の起こる温度付近に設定されているフェリ磁性膜であるという構成を備えている。
請求項（抜粋）：
基板上に、この基板の光入射側から再生磁性膜と制御磁性膜と記録磁性膜とが積層された記録層を有し、温度上昇時に前記制御磁性膜を介して交換結合力によって前記記録磁性膜から前記再生磁性膜へ磁化の向きが転写される構成であって、前記再生磁性膜は直接に光再生される膜であり、前記記録磁性膜は記録情報を保持するための膜であって垂直磁化膜であり、前記制御磁性膜は前記再生磁性膜と前記記録磁性膜の間の交換結合力の強さを制御する膜であって室温では面内磁化膜でかつ補償温度が前記転写の起こる温度付近に設定されているフェリ磁性膜であることを特徴とする光磁気記録媒体。
引用特許：
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