特許

J-GLOBAL ID：200903036137782782

半導体装置の製造方法

発明者： 島田 喬
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302966
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139212
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 位置合わせ誤差に起因する拡散層の幅の変動をなくして、拡散層抵抗や寄生接合容量の増加を防止する。【構成】 Si3 N4 /SiO2 膜12の開口12aからのイオン注入で拡散層16、17を形成した後、Si3 N4 /SiO2 膜12の一部を除去し、このSi3 N4 /SiO2 膜12をマスクにしたイオン注入でチャネルストップ14を形成する。このため、拡散層16、17を形成していない領域と拡散層16、17との境界、及びチャネルストップ14と拡散層16、17との境界の何れも、Si3 N4 /SiO2 膜12の当初のパターンによって決定される。

請求項（抜粋）：

半導体基板のうちで素子分離用の酸化膜下に拡散層とチャネルストップとを有する半導体装置の製造方法において、前記拡散層を形成すべき領域上に開口を有するマスク層を前記半導体基板上に形成する工程と、前記マスク層をマスクにして、前記拡散層を形成するための第1の不純物を前記半導体基板に導入する工程と、前記第1の不純物を導入した後に、前記マスク層のうちで前記チャネルストップを形成すべき領域上の部分を除去する工程と、前記除去の後に、前記マスク層をマスクにして、前記チャネルストップを形成するための第2の不純物を前記半導体基板に導入する工程と、前記第2の不純物を導入した後に、前記マスク層をマスクにして前記半導体基板を酸化して、前記酸化膜を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 21/76 S ,  H01L 27/10 434