特許
J-GLOBAL ID：200903036139009193
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-179653
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019530
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】光の取り出し効率のよい半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、支持基板1と、支持基板1上に設けた第1導電型半導体層2と、第1導電型半導体層2上に設けた発光層である活性層3と、活性層3上に設けた第2導電型半導体層4とを備えた半導体発光素子であって、第1導電型半導体層2に活性層3と第2導電型半導体層4を順次積層して形成した少なくとも2つ以上の積層部5と、積層部5を設けることで第1導電型半導体層2の一部が露出するように形成した露出面からなる露出領域6と、露出領域6に設けた活性層3に電圧印加するとともに、活性層3の側面から放射する光を所望の方向に反射する第1電極7と、第2導電型半導体層4上に設けた活性層3に電圧印加する第2電極8とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
支持基板と、該支持基板上に設けた第1導電型半導体層と、該第1導電型半導体層上に設けた発光層である活性層と、該活性層上に設けた第2導電型半導体層とを備えた半導体発光素子であって、
前記第1導電型半導体層に前記活性層と前記第2導電型半導体層を順次積層して形成した少なくとも2つ以上の積層部と、
該積層部を設けることで前記第1導電型半導体層の一部が露出するように形成した露出面からなる露出領域と、
該露出領域に設けた前記活性層に電圧印加するとともに、前記活性層の側面から放射する光を所望の方向に反射する第1電極と、
前記第2導電型半導体層上に設けた前記活性層に電圧印加する第2電極と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L33/00 E
, H01L29/44 P
, H01L29/44 S
4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB09
, 4M104BB14
, 4M104CC01
, 4M104FF06
, 4M104FF08
, 4M104FF11
, 4M104GG04
, 5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA14
, 5F041CA40
, 5F041CA93
