特許
J-GLOBAL ID：200903036147069375
基板型半導体式ガスセンサ及びガス検出器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-048393
公開番号（公開出願番号）：特開平7-260727
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 長期安定性、温湿度依存性、品質安定性、薄膜依存性の点で優れ、例えば、アルコール類、ケトン類、アルデヒド類等の匂いを有するガスに対しても、これを感度良く、選択性よく検知することができる基板型半導体式ガスセンサ及びこれを備えたガス検出器を得る。【構成】 基板上に酸化スズを主成分とする金属酸化物半導体膜層を備え、金属酸化物半導体膜層に電気的に接続された検出電極を備えて構成される基板型半導体式ガスセンサにおいて、酸化スズの平均一次粒子径が35nmから70nmに形成し、金属酸化物半導体膜層の膜厚を10μmから50μmまたは150μm以上に形成し、センサ温度を450〜550°Cに設定して、匂いガス、水素ガスを検出する。
請求項（抜粋）：
基板(2)上に酸化スズを主成分とする金属酸化物半導体膜層(3)を備え、前記金属酸化物半導体膜層(3)に電気的に接続された検出電極(4)を備えて構成される基板型半導体式ガスセンサであって、前記酸化スズの平均一次粒子径が35nmから70nmに形成され、前記金属酸化物半導体膜層(3)の膜厚を10μmから50μmに形成されている基板型半導体式ガスセンサ。
引用特許：
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