特許
J-GLOBAL ID：200903036147979320
半導体微小構造体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054585
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256151
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】基板面に対して垂直で、原子レベルで平坦なファセット面を持つ窒化物半導体の微小な六角柱構造体を形成する方法を提供することを目的とする。【解決手段】主表面が(0 0 0 1)面であるサファイア基板の主表面上にアモルファス構造の第1の窒化物半導体薄膜を形成し、それを固相エピタキシャル成長によって単結晶化し、その上に第2の窒化物半導体薄膜を気相エピタキシャル成長させ、さらにその上に二酸化シリコン薄膜からなり、開口率が50%以上であり、かつ隣接する窓との最短距離が100μm以下である、第2の窒化物半導体薄膜の表面を露出する複数の窓を有するマスクを形成し、その窓の部分に露出する第2の窒化物半導体薄膜の上に窒化物半導体の微小構造体を気相選択エピタキシャル成長させることにより、前記課題を解決する。
請求項（抜粋）：
主表面が(0 0 0 1)面であるサファイア基板を加熱し、前記主表面上に、窒素化合物を含有するガスと、III族元素の化合物を含有するガスとを導入して、前記主表面上にアモルファス構造の第1の窒化物半導体薄膜を形成する第1の工程と、前記第1の窒化物半導体薄膜を、窒素化合物を含有するガスの雰囲気中で加熱して、固相エピタキシャル成長によって単結晶化する第2の工程と、加熱した前記第1の窒化物半導体薄膜の表面に、窒素化合物を含有するガスと、III族元素の化合物を含有するガスとを導入して、第2の窒化物半導体薄膜を気相エピタキシャル成長させる第3の工程と、上記第2の窒化物半導体薄膜の表面に、二酸化シリコン薄膜からなり、開口率が50%以上であり、かつ隣接する窓との最短距離が100μm以下である、前記第2の窒化物半導体薄膜を露出する複数の窓を有するマスクを形成する第4の工程と、加熱した前記第2の窒化物半導体薄膜が露出した窓の部分に、窒素化合物を含有するガスと、III族元素の化合物を含有するガスとを導入することによって、窒化物半導体の微小構造体を前記窓の部分に気相選択エピタキシャル成長させる第5の工程とを有することを特徴とする半導体微小構造体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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