特許
J-GLOBAL ID：200903036149651098
エピタキシャルシリコン半導体基板とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-247657
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074276
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 シリコン中での拡散係数の大小にかかわらず、全ての重金属不純物のゲッタリング能力を向上させたエピタキシャルシリコン半導体基板の提供。【解決手段】 シリコン半導体基板1を鏡面研磨後、基板表面よりイオン注入を行い基板表面近傍に転位・歪み層2を形成し、その後基板表面にシリコンエピタキシャル層3をエピタキシャル成長、成膜することにより、デバイスプロセスで使用される表面より数μm程度の領域においては何ら悪影響がなく、シリコン中での拡散係数の大きい重金属元素、小さい重金属元素にかかわらずゲッタリングが可能である。
請求項（抜粋）：
基板表面近傍にイオン注入による転位・歪み層を有し、基板表面上に成膜したエピタキシャルシリコン層を有するエピタキシャルシリコン半導体基板。
IPC (2件)：
H01L 21/322
, H01L 21/205
H01L 21/322 J
, H01L 21/205
