特許

J-GLOBAL ID：200903036153801940

二次元画像検出器およびその製造方法

発明者： 吉牟田 利典
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 西岡 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-180696
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358322
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】 光もしくは放射線を直接電荷信号に変換する変換層を、高電圧駆動により安定して使用することができる二次元画像検出器を提供する。【解決手段】 ゲート線とデータ線が格子状に配線され、TFTスイッチング素子と蓄積容量と画素電極が2次元状に配列されたアクティブマトリックス基板4に、半導体変換膜3aを蒸着により形成し、蒸着マスクを用いて半導体変換膜3aの周辺部に波型形状面2を形成する。その後中央に上部電極1を形成する。そして、上部電極1と接地間に、電源5から直流の高電圧が印加される。波型形状面2により沿面距離が長くなり、沿面放電を起こすことなく安定して動作し、半導体変換層3aは入射線のエネルギーに応じた電荷信号を発生し、アクティブマトリックス基板4により、電荷信号が読み出される。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に2次元格子状に行配列されたゲート線及びデータ線と、その各格子点毎に設けられ前記ゲート線及びデータ線と接続された複数の高速スイッチング素子と、その高速スイッチング素子のソース電極に接続された画素電極と、その画素電極と接地間に設けられた電荷蓄積容量体とから構成されるアクティブマトリックス基板と、前記画素電極の上部に形成され光または放射線を吸収し電子-正孔対を発生する変換層と、その変換層の上部に設けられた共通電極と、その共通電極と接地間に電圧を印加する電源とを備えた二次元画像検出器において、前記共通電極と接地間の耐電圧を向上させるために沿面を長くした波型形状面を前記変換層に備えたことを特徴とする二次元画像検出器。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  G01T 1/24 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

G01T 1/24 ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 K

Fターム (21件)：

2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ37 ,  2G088JJ40 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118GA10 ,  5C024AX01 ,  5C024AX16 ,  5C024CY47 ,  5C024EX21 ,  5C024GX01