特許
J-GLOBAL ID：200903036155027150
バイポーラトランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-398417
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198514
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：
【要約】【課題】 高周波特性に優れたHBTを作製する方法を提供する。【解決手段】 エミッタ領域形成用のエッチングマスクを形成する際に用いられるフォトマスクは、領域Rと領域T1〜T4が組み合わされたパターンを有している。この領域T1〜T4は、例えば領域T1について説明すると、直角を成す2つの辺のうちの一方の辺S3が領域Rの辺S11と接しており、また他方の辺S1が領域RのS11と直角を成す辺S12と繋げられ線分を形成している。このような形状のパターンを有するエッチングマスクを用い、領域Rの辺S11が〔011〕方向に沿うようしてエッチングマスクを配置し、エッチングを行なうと矩形状のエミッタ領域が得られる。これにより、ベース領域の面積を低減でき、その結果、高周波特性が向上されたHBTが得られる。
請求項（抜粋）：
バイポーラトランジスタの製造方法であって、エミッタを形成するためのマスクを用いてマスク層を化合物半導体層上に形成するステップと、前記マスク層を用いて前記化合物半導体層をウエットエッチングして、エミッタ領域を形成するステップとを備え、前記マスクは、形成されるべきエミッタ領域の形状に対応し複数の頂点により構成される第1の平面領域と、前記第1の領域に隣接するように配置される複数の第2の平面領域とを有し、前記第2の平面領域の各々は、鋭角を形成するように設けられた第1の辺および第2の辺と、前記第1の平面領域に対面する第3の辺とを含む、バイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/737
, H01L 21/331
5F003AP05
, 5F003AZ01
, 5F003BA27
, 5F003BA92
, 5F003BB08
, 5F003BB90
, 5F003BE04
, 5F003BE08
, 5F003BE90
, 5F003BF01
, 5F003BF03
, 5F003BF06
, 5F003BF90
, 5F003BG03
, 5F003BG10
, 5F003BH07
, 5F003BJ01
, 5F003BM02
, 5F003BM03
, 5F003BP11
, 5F003BP32
, 5F003BP93
, 5F003BP94
, 5F003BP96
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)
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