特許
J-GLOBAL ID：200903036155334304
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-356003
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188431
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 フローティングゲート電極端部の角に丸味をもたせることによって記憶保持特性を向上させる。【構成】 フローティングゲート電極24はフィールド酸化膜6上でメモリ素子ごとに分離されているが、その分離領域ではフローティングゲート電極24の端部はフィールド酸化膜6、及び誘電体膜中の2層のシリコン酸化膜28,32とつながったシリコン酸化膜で被われ、しかもフィールド酸化膜16が盛り上がって、フローティングゲート電極24の端部24aは角が丸味を帯びている。これにより、その端部24aへの電界集中によるフローティングゲート電極24からの電子のリークが抑えられ、データ保持特性が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート酸化膜を介して多結晶シリコンにてなるフローティングゲート電極が形成され、その上に誘電体膜を介して複数のメモリ素子で連続した多結晶シリコンにてなるコントロールゲート電極が形成されている不揮発性メモリ装置を有する半導体装置において、コントロールゲート電極を共通とする隣接したメモリ素子間ではフローティングゲート電極は素子分離用酸化膜上で分離され、かつその素子分離酸化膜上のフローティングゲート電極の端部は酸化膜に被われて角が丸味を有しており、その酸化膜は素子分離用酸化膜及び誘電体膜中の酸化膜と一体化していることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/265
, H01L 21/318
, H01L 27/088
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 21/265 L
, H01L 27/08 102 C
, H01L 27/10 434
