X線露光用マスク及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-166681
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003844
出願日： 1998年06月15日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】 X線露光用マスク及びその製造方法に関し、高応力部分と低応力部分とで構成されるメンブレンを工程数の増加なしに簡単且つ容易に作成することを可能とし、マスクの製造歩留りを向上すると共にマスクの性能を向上する。【解決手段】 SiCを材料として引っ張り応力値が250〔MPa〕の高い引っ張り応力を示す部分と、該高い引っ張り応力を示す部分と同じSiCからなると共に該高い引っ張り応力に実質的に影響しない例えば応力値が0を示し且つ少なくともX線吸収体13をエッチングした際にオーバ・エッチングされる厚さに相当する厚さをもつ部分とが界面で区切られることなく連続一体的に形成されてメンブレンとして作用するSiC膜12を構成している。

請求項（抜粋）：

高い引っ張り応力を示す部分及び該高い引っ張り応力を示す部分と同じ材質からなり且つ該高い引っ張り応力に実質的に影響しない低い応力を示す部分が界面で区切られることなく連続一体化されているマスク支持基板を備えてなることを特徴とするX線露光用マスク。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16

FI (2件)：

H01L 21/30 531 M , G03F 1/16 A

Fターム (7件)：

2H095BA10 , 2H095BB31 , 2H095BB37 , 2H095BC27 , 5F046GD02 , 5F046GD03 , 5F046GD05

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