特許
J-GLOBAL ID：200903036164302610
アクテイブマトリクス基板およびアクテイブマトリクス基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235100
公開番号（公開出願番号）：特開平5-072556
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 画素トランジスタと異なるシリコン薄膜を、レーザ照射により結晶化することにより電気的特性の優れた薄膜トランジスタによる駆動回路を絶縁基板上に形成したアクティブマトリクスの製造方法を提供する。【構成】 アクティブマトリクス基板を構成する画素用と駆動回路用の薄膜トランジスタの活性シリコン層を異なる工程により、異なる膜厚と膜質のシリコン層をそれぞれ形成する。駆動回路用のシリコン層をレーザ照射により結晶化して電気的に優れた駆動回路を構成する。
請求項（抜粋）：
画素トランジスタと駆動回路が同一基板上に形成されるアクティブマトリクス基板において、画素を駆動する薄膜トランジスタの半導体薄膜と、駆動回路を構成する薄膜トランジスタの半導体薄膜の膜厚が異なることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/784
