特許
J-GLOBAL ID：200903036171313007
電荷転送装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294907
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151474
出願日： 1992年11月04日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板上において2つの電極のみで2相駆動CCDを形成することを可能にし微細化を容易にする。【構成】 電荷転送装置10は、半導体基板11上に全面に亘って形成された絶縁膜12と、該絶縁膜12の上に形成されたポリシリコン電極13と、絶縁膜12の上におけるポリシリコン電極13の両側の側壁と隣接する部位に該ポリシリコン電極13と電気的に接続されるように形成されたポリシリコンサイドウォール15と、半導体基板11の表面部においてポリシリコン電極13の右側部の下側の部位から右側のポリシリコンサイドウォール15の下側の部位に亘って形成されたバリア領域14とを備えている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された電荷転送装置であって、上記半導体基板上に形成されたポリシリコン膜またはポリサイド膜からなる電極と、上記半導体基板上における上記電極の両側の側壁と隣接する部位に該電極と電気的に接続されるように形成されたポリシリコンからなるサイドウォールと、上記半導体基板上における上記電極の一側部の下側の部位から該一側部側の上記サイドウォールの下側の部位に亘って形成されたバリア領域とを備えていることを特徴とする電荷転送装置。
IPC (2件)：
H01L 21/339
, H01L 29/796
