窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-169839
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012899
出願日： 1998年06月17日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】本発明は光特性の均一性及び信頼性に優れた窒化物半導体素子を提供する製造方法に関するものである。【解決手段】窒化物半導体上に電極を形成させるために、窒化物半導体上に電極を構成する金属を形成する工程と、酸素雰囲気中で熱処理し金属と窒化物半導体とのオーミック接触を取る工程と、金属表面に形成された金属酸化物を除去することにより透光性電極を形成する工程と、透光性電極上にワイヤボンディング用のパッド電極を形成する工程とを行う。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体上に電極を構成する金属を形成する工程と、酸素雰囲気中で熱処理し前記金属と窒化物半導体とのオーミック接触を取る工程と、前記金属表面に形成された金属酸化物を除去することにより透光性電極を形成する工程と、該透光性電極上にワイヤボンディング用のパッド電極を形成する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

Fターム (8件)：

5F041CA40 , 5F041CA73 , 5F041CA82 , 5F041CA85 , 5F041CA86 , 5F041CA87 , 5F041CA88 , 5F041CA98

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