特許
J-GLOBAL ID：200903036172663567
コンタクトプラグの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-015280
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213454
出願日： 1995年02月01日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 コンタクト孔の側壁と残った導電性材料間の密着性を向上させることができるコンタクトプラグの形成方法を得ることを目的とする。【構成】 残膜検査に用いるコンタクトプラグを形成するためのコンタクト孔を開口する際、そのコンタクト孔の側壁に凹凸を施すようにしたものである。
請求項（抜粋）：
デバイス配線用のコンタクトプラグを層間絶縁膜に形成する際、その層間絶縁膜の残膜検査に用いるコンタクトプラグを形成するためのコンタクト孔をその層間絶縁膜のダイシングライン上に開口するとともに、そのコンタクト孔と層間絶縁膜に導電性材料を堆積し、その層間絶縁膜に堆積した導電性材料をエッチング除去して残膜検査用のコンタクトプラグを形成するコンタクトプラグの形成方法において、上記残膜検査に用いるコンタクトプラグを形成するためのコンタクト孔を開口する際、そのコンタクト孔の側壁に凹凸を施すようにしたことを特徴とするコンタクトプラグの形成方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
