特許

J-GLOBAL ID：200903036174358664

プラズマ処理装置用静電吸着方法

発明者： 角谷 匡規 ,  亦野 勝次 ,  藤井 敬 ,  吉開 元彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立テクノエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-121100
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316295
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】除電処理を省略し、ウエハ1枚あたりの処理時間を短縮する。【構成】プラズマ処理中のウエハの電位(Vdc)を測定し、実際に静電吸着力を生み出すのに使用される有効吸着電圧を、処理中の静電吸着力がウエハの搬送に支障を来たさない静電吸着力以下であり、かつ、ウエハの裏面に導入する伝熱ガスによるウエハの浮き上がりを防止可能な静電吸着力となる電圧とし、該有効吸着電圧に測定されたウエハ電位(Vdc)を加えた直流電圧を電極に印加してウエハを静電吸着させることにより、処理中に伝熱ガスの圧力によりウエハが電極からはがれることもなく、プラズマ処理終了直後の残留吸着力がウエハの搬送に支障を来すことがないので、除電処理を省略することができ、ウエハ一枚を処理する時間を短くできる。

請求項（抜粋）：

試料配置面に絶縁膜を設けた電極にガスプラズマを用いて処理される試料を配置し、プラズマを生成するとともに前記電極に直流電圧を印加し、前記試料を前記電極上に静電吸着させるプラズマ処理装置用静電吸着方法において、プラズマ処理中の前記試料の電位(Vdc)を測定し、該電位(Vdc)と前記プラズマ処理中の静電吸着力が前記試料の処理後の取外しに支障を来たさない静電吸着力以下であり、かつ前記試料裏面に供給される伝熱ガス圧による前記試料の浮き上がりを防止可能な静電吸着力を生み出すための有効吸着電圧とを加えた電圧を前記直流電圧とし前記電極に印加することを特徴とするプラズマ処理用静電吸着方法。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  H05H 1/46 ,  B23Q 3/15

FI (3件)：

H01L 21/68 R ,  H05H 1/46 A ,  B23Q 3/15 D