特許
J-GLOBAL ID：200903036193803695
プラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-355784
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188206
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 純度が高く良好な結晶構造を有する膜を形成することのできるプラズマCVD装置を提供する。【構成】 ECR型のプラズマ生成手段により形成されるプラズマ高密度領域4と被処理体ホルダ100との間に遮蔽部材6を設けることにより、被処理体101へイオンや電子が入射することを抑え、CVD膜のダメージを防ぐ。
請求項（抜粋）：
エレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス型のプラズマ生成手段と被処理体ホルダとが設けられたプラズマ室を有し、前記プラズマ生成手段により形成されたプラズマ高密度領域と前記被処理体ホルダとの間に遮蔽部材が設けられていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2件)：
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